為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購(gòu)信息，根******大學(xué)2025年08月政府采購(gòu)意向公開(kāi)（第二批）如下：
| 序號(hào) |
采購(gòu)項(xiàng)目名稱 |
意向編號(hào) |
采購(gòu)品目 |
采購(gòu)需求概況 |
預(yù)算金額 |
(萬(wàn)元)
預(yù)計(jì)采購(gòu)日期 |
備注 |
| 1 |
熒光壽命測(cè)量系統(tǒng) |
YX******2 |
A******物理光學(xué)儀器 |
開(kāi)展超快時(shí)序光學(xué)測(cè)量的光譜儀設(shè)備，包括條紋變像管，高靈敏度CCD探測(cè)器和單色儀等部分，具體參數(shù)要求為：光譜相應(yīng)范圍覆蓋300-800nm；時(shí)間分辨率優(yōu)于3ps；兼具快掃（50-100MHz）和慢掃(0.1-1MHz)兩種模式 |
300 |
2025年08月 |
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| 2 |
FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) |
YX******3 |
A******顯微鏡 |
"擬購(gòu)FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、離子束鏡筒：液態(tài)Ga離子源；分辨率≤3.0nm@30kV；加速電壓0.5-30KV（10V步進(jìn)）；束流1pA-100nA；壽命≥3000μAh；支持實(shí)時(shí)邊切邊看。
2、電子束鏡筒：肖特基場(chǎng)發(fā)射燈絲；分辨率≤0.7nm@15KV、≤1.2nm@1KV（非減速模式）；加速電壓0.02-30KV（著陸電壓20eV-30keV）；束流穩(wěn)定性優(yōu)于0.2%/h。
3、探測(cè)器：樣品室+鏡筒內(nèi)獨(dú)立二次電子探測(cè)器（鏡筒內(nèi)無(wú)需偏壓）、環(huán)形背散射探測(cè)器、2個(gè)紅外/彩色CCD相機(jī)；支持雙通道同時(shí)成像。
4、能譜儀：SDD硅漂移探測(cè)器（100mm2，超薄窗）；元素范圍Be4-Cf98；能量分辨率Mn Ka≤127eV、F Ka≤64eV、C Ka≤56eV（@130,000cps，符合ISO 15632:2012）；軟件控制自動(dòng)伸縮。
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
980 |
2025年08月 |
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| 3 |
化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng) |
YX******4 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、加工尺寸： 支持4、6、8英寸；
2、拋光頭轉(zhuǎn)速：最大轉(zhuǎn)速≥200 rpm；誤差±1%；
3、拋光頭采用直驅(qū)電機(jī)。加壓方式：分區(qū)加壓控制；
4、拋光頭分區(qū)：8寸拋光頭5zone ；6寸拋光頭4zone：4寸拋光頭 2zone；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
900 |
2025年08月 |
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| 4 |
激光直寫(xiě)系統(tǒng) |
YX******5 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)激光直寫(xiě)系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、最小線寬：≤300±50nm（最小光柵周期：≤600nm） ；
2、線寬均勻性：≤50nm（3σ）@ 300nm 分辨率；
3、線粗糙度：≤30nm（3σ）@ 300nm分辨率；
4、正面對(duì)準(zhǔn)精度≤250nm （平均值）；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
700 |
2025年08月 |
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| 5 |
原子層刻蝕系統(tǒng) |
YX******6 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)原子層刻蝕系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、8英寸向下兼容；
2、射頻：頻率13.56MHz，上射頻額定功率≥1500W，下射頻額定功率≤300W；
3、配備ALE快速切換閥，響應(yīng)時(shí)間<30ms；
4、氣路總數(shù)可達(dá)8路，每路入口配有截止閥；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
550 |
2025年08月 |
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| 6 |
誤碼率分析儀 |
YX******7 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)誤碼率分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、支持2-64GBd的碼型產(chǎn)生；
2、支持NRZ,PAM4編碼方式；支持PRBS7,PRBS15,PRBS31,PRBS51輸出；
3、時(shí)鐘抖動(dòng)小于300fs；
4、輸出幅度為50 mV 至 0.8 Vpp (單端)；100 mV 至1.6 V 差分；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
516 |
2025年08月 |
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| 7 |
電子束蒸鍍機(jī) |
YX******8 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)電子束蒸鍍機(jī)1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、溫度可以高達(dá)1100攝氏度，誤差為+/-1%；
2、8”晶圓薄膜沉積均勻性可以達(dá)到σ< 1.0%, 49Pts 5mmEE。
3、設(shè)備可以運(yùn)行最大8”晶圓，并向下兼容；
4、設(shè)備預(yù)留多個(gè)功能模塊位置，可以方便升級(jí)，添加其他功能模塊，如磁控濺射、離子刻蝕、PLD等；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
450 |
2025年08月 |
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| 8 |
脈沖激光沉積系統(tǒng) |
YX******9 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬脈沖激光沉積系統(tǒng)1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù)：
1、抽氣系統(tǒng)包括進(jìn)口分子泵(抽速≥650 L/s)和進(jìn)口渦旋干泵(抽速≥3.1 L/s)，腔體與分子泵之間配有氣動(dòng)閘板閥，本底真空度優(yōu)于9E-7Pa；
2、靶臺(tái)：靶材尺寸及數(shù)量：φ2英寸×3 個(gè)；每個(gè)靶材均可實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn)，自轉(zhuǎn)速率≤10 RPM，由電機(jī)控制；可在公轉(zhuǎn)方向上擺動(dòng)掃描，以實(shí)現(xiàn)激光對(duì)靶材的均勻燒蝕；
3、配備進(jìn)口RHEED電子槍，電子槍能量最高可達(dá)30 KeV，工作氣壓最高可達(dá)0.4 Torr（50 Pa）；
4、配備進(jìn)口ICP離子源，RF電源功率大于500w，流量計(jì)10sccm；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
400 |
2025年08月 |
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| 9 |
大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀 |
YX******0 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀統(tǒng)1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、2通道模擬實(shí)時(shí)帶寬≥59GHz；
2、2通道實(shí)時(shí)采樣率≥200GS/s；
3、存儲(chǔ)深度 ≥50M；
4、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
5、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
350 |
2025年08月 |
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| 10 |
反應(yīng)離子刻蝕機(jī) |
YX******1 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù)：
1、設(shè)備8英寸并向下兼容；
2、可實(shí)現(xiàn)對(duì)Ⅲ-Ⅴ族材料以及硅基材料的低損傷刻蝕；對(duì)SiO2的刻蝕：刻蝕速率>25nm/min；
3、最大刻蝕深度<1mm，對(duì)PR的選擇比>2.5:1,側(cè)壁傾角88±2°；
4、8英寸范圍內(nèi)刻蝕均勻性<±3%；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
300 |
2025年08月 |
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| 11 |
存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng) |
YX******2 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)1套。
主要規(guī)格參數(shù)：
1、覆蓋8*8陣列芯片的測(cè)試，配置16個(gè)SMU通道；
2、任意波形發(fā)生器：16Bit，8通道，每條通道2G樣點(diǎn)波形存儲(chǔ)深度，采樣率10GS/s；
3、源表：2通道，200V，測(cè)量分辨率0.1fA/100nV；
4、最小脈寬：400 ps
5、示波器：8個(gè)模擬通道，62.5M記錄長(zhǎng)度，2.5G帶寬；
6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
300 |
2025年08月 |
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| 12 |
頻譜分析儀 |
YX******3 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)頻譜分析儀1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù)：
1、頻率范圍不小于2hz-26.5GHz；
2、實(shí)時(shí)頻譜分析帶寬不低于500MHz；
3、總體幅度精度±0.27dB；
4、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
5、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
264 |
2025年08月 |
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| 13 |
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
YX******4 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)1套。
主要規(guī)格參數(shù)：1、反應(yīng)腔室1套，真空獲得系統(tǒng)1套；
2、下電極1套；射頻電源及匹配器1套，頻率13.56MHz；
3、真空檢測(cè)系統(tǒng)1套；電氣控制系統(tǒng) 1套；控制軟件 1套；
3、選配loadlock自動(dòng)傳輸系統(tǒng)；
4、選配400kHz低頻射頻電源；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
230 |
2025年08月 |
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| 14 |
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 |
YX******5 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、頻率范圍不低于10MHz-43.5GHz；
2、端口數(shù)量4個(gè)；系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍119dB；
3、噪聲電平≤-130dBm；
4、相位噪聲≤-119dBc/Hz(@10KHz頻偏)；
5、跡線噪聲 1GHz到40GHz 幅度< 0.008 dB，相位< 0.06°；
6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
230 |
2025年08月 |
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| 15 |
功率器件分析儀 |
YX******6 |
A******功率計(jì) |
"擬購(gòu)功率器件分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、具有高電壓高電流IV測(cè)量功能，最大電流1500A，最大電壓3KV，且可在1500A和3KV之間進(jìn)行自動(dòng)切換；
2、超大電流模塊，最大電流±1500A（脈沖），電流測(cè)量分辨率為：2mA，最大輸出電壓±60V，輸出脈沖寬度可設(shè)置范圍為10us至0.5ms；
3、柵極最大輸出電壓：±30V，最大輸出電流：±1A（脈沖模式），±0.1A（DC），最小電流測(cè)量分辨率：10pA
4、高壓模塊性能：最大輸出電壓范圍±3KV，最大輸出電流:±8mA；電流測(cè)量最小分辨率為：10fA；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
198 |
2025年08月 |
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| 16 |
金相顯微鏡 |
YX******7 |
A******顯微鏡 |
"擬購(gòu)金相顯微鏡4臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、光學(xué)系統(tǒng)及變焦比：設(shè)備需采用遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng)，變焦比或變倍比≥10倍。
2、配備不少于4個(gè)物鏡，放大倍數(shù)及參數(shù)要求如下：
3倍鏡頭，放大倍數(shù)范圍需涵蓋45X-400X，數(shù)值孔徑NA≥0.09，工作距離WD≥30mm
10倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋150X-1400X，數(shù)值孔徑NA≥0.30，工作距離WD≥30mm
20倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋300-2900X,數(shù)值孔徑NA≥0.40,工作距離WD≥20mm
40倍鏡頭，放大倍數(shù)范圍需涵蓋600-5800X,數(shù)值孔徑NA≥0.80,工作距離WD≥4.5mm
3、觀察方式包含但不限于：明場(chǎng)、暗場(chǎng)、偏光、明場(chǎng)+暗場(chǎng)、斜射、陰影浮雕、微分干涉；
4、最大樣品高度≥70mm。
5、圖像采集模塊：可采集2D和3D表面形貌圖像，可實(shí)現(xiàn)2D和3D圖像自動(dòng)拼接功能,獲得樣品高倍整體形貌；
6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
180 |
2025年08月 |
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| 17 |
相位噪聲分析儀 |
YX******8 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)相位噪聲分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、相位噪聲測(cè)量載波頻率范圍不小于1MHz-50GHz;
2、相位噪聲測(cè)量頻偏可達(dá)1GHz；
3、可完成測(cè)試功能包括瞬態(tài)測(cè)試、VCO測(cè)試、AM噪聲測(cè)試和Alan方差測(cè)試；
4、相位噪聲測(cè)量SSB相位噪聲、雜散信號(hào)、時(shí)間抖動(dòng)；
5、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
6、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
168 |
2025年08月 |
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| 18 |
橢偏儀 |
YX******9 |
A******光學(xué)測(cè)試儀器 |
"擬購(gòu)橢偏儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、測(cè)量能力： 全穆勒矩陣 16 個(gè)元素、偏振光譜 Psi/Delta、折射率、厚度、雙折射 及介電常數(shù)等；
2、光譜范圍： 210nm-1650nm；
3、膜厚重復(fù)性精度： ≦ 0.005nm （100nm SiO2/Si， 30 repeats， 1σ） ；膜厚測(cè)量精度： ＜0.5 nm (100nm SiO2/Si)；
4、折射率重復(fù)性精度： ≦ 0.0005nm（******,100nm SiO2/Si， 30 repeats， 1σ） ；
5、激光定焦：采用激光測(cè)距儀精準(zhǔn)探測(cè)最佳焦距，實(shí)現(xiàn)樣品 Mapping 快速掃描測(cè)量，采用 x/y 型 Mapping 掃描臺(tái)，支持 2/4/6/8 寸樣件多點(diǎn)定位自動(dòng)掃描測(cè)量，軟件一鍵生成 二維/三維膜厚分布圖；
6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
120 |
2025年08月 |
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| 19 |
GPU服務(wù)器 |
YX******0 |
A******服務(wù)器 |
"擬購(gòu)GPU服務(wù)器1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、4顆X86架構(gòu)CPU， 2.1G, 48C/96T；
2、1TB 內(nèi)存；12塊3.84TB SSD；
3、2個(gè)萬(wàn)兆光口；
4、4個(gè)48G顯存高端AI計(jì)算GPU卡；
5、滿配冗余電源風(fēng)扇，含上架導(dǎo)軌；
6、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
7、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
120 |
2025年08月 |
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| 20 |
ESD測(cè)試系統(tǒng) |
YX******1 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
擬購(gòu)ESD測(cè)試系統(tǒng)1套。該系統(tǒng)包括半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái)、中脈沖寬度擴(kuò)展器及手動(dòng)探頭。
主要技術(shù)指標(biāo)：
1、半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái)：支持短路電流最大40A ；支持開(kāi)路電壓最大2KV；支持上升時(shí)間10ns；支持脈沖寬度100ns；支持封裝級(jí)、晶圓級(jí)測(cè)試；提供自動(dòng)測(cè)試軟件；提供數(shù)據(jù)分析軟件；支持升級(jí)VF-TLP/HBM/HMM。
2、中脈沖寬度擴(kuò)展器：短路電流最大40A ；開(kāi)路電壓最大2KV；上升時(shí)間10ns；脈沖寬度100ns。
3、手動(dòng)探頭：探針臺(tái)主機(jī)大小4英寸；移動(dòng)精度10 微米；三目體式顯微鏡；目鏡倍率20倍；放大倍率16倍~100倍；200萬(wàn)像素高清CCD成像系。
4、質(zhì)保：自驗(yàn)收合格之日起兩年；
5、售后：所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。 |
104 |
2025年08月 |
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本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排，具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。
******大學(xué)采購(gòu)與招標(biāo)中心
2025年07月04日
