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華中科技大學(xué)2025年08月政府采購(gòu)意向公開(kāi)(第二批)
信息來(lái)源: ******[查看]
|地區(qū):湖北
|類型:采購(gòu)意向/預(yù)告
基本信息
信息類型:采購(gòu)意向/預(yù)告
區(qū)域:湖北
源發(fā)布時(shí)間:2025-07-04
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為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購(gòu)信息,根******大學(xué)2025年08月政府采購(gòu)意向公開(kāi)(第二批)如下:

序號(hào) 采購(gòu)項(xiàng)目名稱 意向編號(hào) 采購(gòu)品目 采購(gòu)需求概況 預(yù)算金額
(萬(wàn)元) 預(yù)計(jì)采購(gòu)日期 備注 1 熒光壽命測(cè)量系統(tǒng) YX******2 A******物理光學(xué)儀器 開(kāi)展超快時(shí)序光學(xué)測(cè)量的光譜儀設(shè)備,包括條紋變像管,高靈敏度CCD探測(cè)器和單色儀等部分,具體參數(shù)要求為:光譜相應(yīng)范圍覆蓋300-800nm;時(shí)間分辨率優(yōu)于3ps;兼具快掃(50-100MHz)和慢掃(0.1-1MHz)兩種模式 300 2025年08月 2 FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) YX******3 A******顯微鏡 "擬購(gòu)FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng)1套。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、離子束鏡筒:液態(tài)Ga離子源;分辨率≤3.0nm@30kV;加速電壓0.5-30KV(10V步進(jìn));束流1pA-100nA;壽命≥3000μAh;支持實(shí)時(shí)邊切邊看。 2、電子束鏡筒:肖特基場(chǎng)發(fā)射燈絲;分辨率≤0.7nm@15KV、≤1.2nm@1KV(非減速模式);加速電壓0.02-30KV(著陸電壓20eV-30keV);束流穩(wěn)定性優(yōu)于0.2%/h。 3、探測(cè)器:樣品室+鏡筒內(nèi)獨(dú)立二次電子探測(cè)器(鏡筒內(nèi)無(wú)需偏壓)、環(huán)形背散射探測(cè)器、2個(gè)紅外/彩色CCD相機(jī);支持雙通道同時(shí)成像。 4、能譜儀:SDD硅漂移探測(cè)器(100mm2,超薄窗);元素范圍Be4-Cf98;能量分辨率Mn Ka≤127eV、F Ka≤64eV、C Ka≤56eV(@130,000cps,符合ISO 15632:2012);軟件控制自動(dòng)伸縮。 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 980 2025年08月 3 化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng) YX******4 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng)1套。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、加工尺寸: 支持4、6、8英寸; 2、拋光頭轉(zhuǎn)速:最大轉(zhuǎn)速≥200 rpm;誤差±1%; 3、拋光頭采用直驅(qū)電機(jī)。加壓方式:分區(qū)加壓控制; 4、拋光頭分區(qū):8寸拋光頭5zone ;6寸拋光頭4zone:4寸拋光頭 2zone; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 900 2025年08月 4 激光直寫(xiě)系統(tǒng) YX******5 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)激光直寫(xiě)系統(tǒng)1套。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、最小線寬:≤300±50nm(最小光柵周期:≤600nm) ; 2、線寬均勻性:≤50nm(3σ)@ 300nm 分辨率; 3、線粗糙度:≤30nm(3σ)@ 300nm分辨率; 4、正面對(duì)準(zhǔn)精度≤250nm (平均值); 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 700 2025年08月 5 原子層刻蝕系統(tǒng) YX******6 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)原子層刻蝕系統(tǒng)1套。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、8英寸向下兼容; 2、射頻:頻率13.56MHz,上射頻額定功率≥1500W,下射頻額定功率≤300W; 3、配備ALE快速切換閥,響應(yīng)時(shí)間<30ms; 4、氣路總數(shù)可達(dá)8路,每路入口配有截止閥; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 550 2025年08月 6 誤碼率分析儀 YX******7 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)誤碼率分析儀1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、支持2-64GBd的碼型產(chǎn)生; 2、支持NRZ,PAM4編碼方式;支持PRBS7,PRBS15,PRBS31,PRBS51輸出; 3、時(shí)鐘抖動(dòng)小于300fs; 4、輸出幅度為50 mV 至 0.8 Vpp (單端);100 mV 至1.6 V 差分; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 516 2025年08月 7 電子束蒸鍍機(jī) YX******8 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)電子束蒸鍍機(jī)1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、溫度可以高達(dá)1100攝氏度,誤差為+/-1%; 2、8”晶圓薄膜沉積均勻性可以達(dá)到σ< 1.0%, 49Pts 5mmEE。 3、設(shè)備可以運(yùn)行最大8”晶圓,并向下兼容; 4、設(shè)備預(yù)留多個(gè)功能模塊位置,可以方便升級(jí),添加其他功能模塊,如磁控濺射、離子刻蝕、PLD等; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 450 2025年08月 8 脈沖激光沉積系統(tǒng) YX******9 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬脈沖激光沉積系統(tǒng)1臺(tái)。 主要規(guī)格參數(shù): 1、抽氣系統(tǒng)包括進(jìn)口分子泵(抽速≥650 L/s)和進(jìn)口渦旋干泵(抽速≥3.1 L/s),腔體與分子泵之間配有氣動(dòng)閘板閥,本底真空度優(yōu)于9E-7Pa; 2、靶臺(tái):靶材尺寸及數(shù)量:φ2英寸×3 個(gè);每個(gè)靶材均可實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn),自轉(zhuǎn)速率≤10 RPM,由電機(jī)控制;可在公轉(zhuǎn)方向上擺動(dòng)掃描,以實(shí)現(xiàn)激光對(duì)靶材的均勻燒蝕; 3、配備進(jìn)口RHEED電子槍,電子槍能量最高可達(dá)30 KeV,工作氣壓最高可達(dá)0.4 Torr(50 Pa); 4、配備進(jìn)口ICP離子源,RF電源功率大于500w,流量計(jì)10sccm; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 400 2025年08月 9 大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀 YX******0 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀統(tǒng)1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、2通道模擬實(shí)時(shí)帶寬≥59GHz; 2、2通道實(shí)時(shí)采樣率≥200GS/s; 3、存儲(chǔ)深度 ≥50M; 4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 350 2025年08月 10 反應(yīng)離子刻蝕機(jī) YX******1 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)1臺(tái)。 主要規(guī)格參數(shù): 1、設(shè)備8英寸并向下兼容; 2、可實(shí)現(xiàn)對(duì)Ⅲ-Ⅴ族材料以及硅基材料的低損傷刻蝕;對(duì)SiO2的刻蝕:刻蝕速率>25nm/min; 3、最大刻蝕深度<1mm,對(duì)PR的選擇比>2.5:1,側(cè)壁傾角88±2°; 4、8英寸范圍內(nèi)刻蝕均勻性<±3%; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 300 2025年08月 11 存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng) YX******2 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)1套。 主要規(guī)格參數(shù): 1、覆蓋8*8陣列芯片的測(cè)試,配置16個(gè)SMU通道; 2、任意波形發(fā)生器:16Bit,8通道,每條通道2G樣點(diǎn)波形存儲(chǔ)深度,采樣率10GS/s; 3、源表:2通道,200V,測(cè)量分辨率0.1fA/100nV; 4、最小脈寬:400 ps 5、示波器:8個(gè)模擬通道,62.5M記錄長(zhǎng)度,2.5G帶寬; 6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 300 2025年08月 12 頻譜分析儀 YX******3 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)頻譜分析儀1臺(tái)。 主要規(guī)格參數(shù): 1、頻率范圍不小于2hz-26.5GHz; 2、實(shí)時(shí)頻譜分析帶寬不低于500MHz; 3、總體幅度精度±0.27dB; 4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 264 2025年08月 13 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) YX******4 A******工藝試驗(yàn)機(jī) "擬購(gòu)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)1套。 主要規(guī)格參數(shù):1、反應(yīng)腔室1套,真空獲得系統(tǒng)1套; 2、下電極1套;射頻電源及匹配器1套,頻率13.56MHz; 3、真空檢測(cè)系統(tǒng)1套;電氣控制系統(tǒng) 1套;控制軟件 1套; 3、選配loadlock自動(dòng)傳輸系統(tǒng); 4、選配400kHz低頻射頻電源; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 230 2025年08月 14 矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 YX******5 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、頻率范圍不低于10MHz-43.5GHz; 2、端口數(shù)量4個(gè);系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍119dB; 3、噪聲電平≤-130dBm; 4、相位噪聲≤-119dBc/Hz(@10KHz頻偏); 5、跡線噪聲 1GHz到40GHz 幅度< 0.008 dB,相位< 0.06°; 6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 230 2025年08月 15 功率器件分析儀 YX******6 A******功率計(jì) "擬購(gòu)功率器件分析儀1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、具有高電壓高電流IV測(cè)量功能,最大電流1500A,最大電壓3KV,且可在1500A和3KV之間進(jìn)行自動(dòng)切換; 2、超大電流模塊,最大電流±1500A(脈沖),電流測(cè)量分辨率為:2mA,最大輸出電壓±60V,輸出脈沖寬度可設(shè)置范圍為10us至0.5ms; 3、柵極最大輸出電壓:±30V,最大輸出電流:±1A(脈沖模式),±0.1A(DC),最小電流測(cè)量分辨率:10pA 4、高壓模塊性能:最大輸出電壓范圍±3KV,最大輸出電流:±8mA;電流測(cè)量最小分辨率為:10fA; 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 198 2025年08月 16 金相顯微鏡 YX******7 A******顯微鏡 "擬購(gòu)金相顯微鏡4臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、光學(xué)系統(tǒng)及變焦比:設(shè)備需采用遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng),變焦比或變倍比≥10倍。 2、配備不少于4個(gè)物鏡,放大倍數(shù)及參數(shù)要求如下: 3倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋45X-400X,數(shù)值孔徑NA≥0.09,工作距離WD≥30mm 10倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋150X-1400X,數(shù)值孔徑NA≥0.30,工作距離WD≥30mm 20倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋300-2900X,數(shù)值孔徑NA≥0.40,工作距離WD≥20mm 40倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋600-5800X,數(shù)值孔徑NA≥0.80,工作距離WD≥4.5mm 3、觀察方式包含但不限于:明場(chǎng)、暗場(chǎng)、偏光、明場(chǎng)+暗場(chǎng)、斜射、陰影浮雕、微分干涉; 4、最大樣品高度≥70mm。 5、圖像采集模塊:可采集2D和3D表面形貌圖像,可實(shí)現(xiàn)2D和3D圖像自動(dòng)拼接功能,獲得樣品高倍整體形貌; 6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 180 2025年08月 17 相位噪聲分析儀 YX******8 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x "擬購(gòu)相位噪聲分析儀1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、相位噪聲測(cè)量載波頻率范圍不小于1MHz-50GHz; 2、相位噪聲測(cè)量頻偏可達(dá)1GHz; 3、可完成測(cè)試功能包括瞬態(tài)測(cè)試、VCO測(cè)試、AM噪聲測(cè)試和Alan方差測(cè)試; 4、相位噪聲測(cè)量SSB相位噪聲、雜散信號(hào)、時(shí)間抖動(dòng); 5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 168 2025年08月 18 橢偏儀 YX******9 A******光學(xué)測(cè)試儀器 "擬購(gòu)橢偏儀1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、測(cè)量能力: 全穆勒矩陣 16 個(gè)元素、偏振光譜 Psi/Delta、折射率、厚度、雙折射 及介電常數(shù)等; 2、光譜范圍: 210nm-1650nm; 3、膜厚重復(fù)性精度: ≦ 0.005nm (100nm SiO2/Si, 30 repeats, 1σ) ;膜厚測(cè)量精度: <0.5 nm (100nm SiO2/Si); 4、折射率重復(fù)性精度: ≦ 0.0005nm(******,100nm SiO2/Si, 30 repeats, 1σ) ; 5、激光定焦:采用激光測(cè)距儀精準(zhǔn)探測(cè)最佳焦距,實(shí)現(xiàn)樣品 Mapping 快速掃描測(cè)量,采用 x/y 型 Mapping 掃描臺(tái),支持 2/4/6/8 寸樣件多點(diǎn)定位自動(dòng)掃描測(cè)量,軟件一鍵生成 二維/三維膜厚分布圖; 6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 120 2025年08月 19 GPU服務(wù)器 YX******0 A******服務(wù)器 "擬購(gòu)GPU服務(wù)器1臺(tái)。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、4顆X86架構(gòu)CPU, 2.1G, 48C/96T; 2、1TB 內(nèi)存;12塊3.84TB SSD; 3、2個(gè)萬(wàn)兆光口; 4、4個(gè)48G顯存高端AI計(jì)算GPU卡; 5、滿配冗余電源風(fēng)扇,含上架導(dǎo)軌; 6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" 120 2025年08月 20 ESD測(cè)試系統(tǒng) YX******1 A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x 擬購(gòu)ESD測(cè)試系統(tǒng)1套。該系統(tǒng)包括半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái)、中脈沖寬度擴(kuò)展器及手動(dòng)探頭。 主要技術(shù)指標(biāo): 1、半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái):支持短路電流最大40A ;支持開(kāi)路電壓最大2KV;支持上升時(shí)間10ns;支持脈沖寬度100ns;支持封裝級(jí)、晶圓級(jí)測(cè)試;提供自動(dòng)測(cè)試軟件;提供數(shù)據(jù)分析軟件;支持升級(jí)VF-TLP/HBM/HMM。 2、中脈沖寬度擴(kuò)展器:短路電流最大40A ;開(kāi)路電壓最大2KV;上升時(shí)間10ns;脈沖寬度100ns。 3、手動(dòng)探頭:探針臺(tái)主機(jī)大小4英寸;移動(dòng)精度10 微米;三目體式顯微鏡;目鏡倍率20倍;放大倍率16倍~100倍;200萬(wàn)像素高清CCD成像系。 4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年; 5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。 104 2025年08月

本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排,具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。

******大學(xué)采購(gòu)與招標(biāo)中心

2025年07月04日

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