為便于供應(yīng)商及時(shí)了解政府采購(gòu)信息,根******大學(xué)2025年08月政府采購(gòu)意向公開(kāi)(第二批)如下:
序號(hào) |
采購(gòu)項(xiàng)目名稱 |
意向編號(hào) |
采購(gòu)品目 |
采購(gòu)需求概況 |
預(yù)算金額 |
(萬(wàn)元)
預(yù)計(jì)采購(gòu)日期 |
備注 |
1 |
熒光壽命測(cè)量系統(tǒng) |
YX******2 |
A******物理光學(xué)儀器 |
開(kāi)展超快時(shí)序光學(xué)測(cè)量的光譜儀設(shè)備,包括條紋變像管,高靈敏度CCD探測(cè)器和單色儀等部分,具體參數(shù)要求為:光譜相應(yīng)范圍覆蓋300-800nm;時(shí)間分辨率優(yōu)于3ps;兼具快掃(50-100MHz)和慢掃(0.1-1MHz)兩種模式 |
300 |
2025年08月 |
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2 |
FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng) |
YX******3 |
A******顯微鏡 |
"擬購(gòu)FIB掃描電子顯微鏡雙束系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、離子束鏡筒:液態(tài)Ga離子源;分辨率≤3.0nm@30kV;加速電壓0.5-30KV(10V步進(jìn));束流1pA-100nA;壽命≥3000μAh;支持實(shí)時(shí)邊切邊看。
2、電子束鏡筒:肖特基場(chǎng)發(fā)射燈絲;分辨率≤0.7nm@15KV、≤1.2nm@1KV(非減速模式);加速電壓0.02-30KV(著陸電壓20eV-30keV);束流穩(wěn)定性優(yōu)于0.2%/h。
3、探測(cè)器:樣品室+鏡筒內(nèi)獨(dú)立二次電子探測(cè)器(鏡筒內(nèi)無(wú)需偏壓)、環(huán)形背散射探測(cè)器、2個(gè)紅外/彩色CCD相機(jī);支持雙通道同時(shí)成像。
4、能譜儀:SDD硅漂移探測(cè)器(100mm2,超薄窗);元素范圍Be4-Cf98;能量分辨率Mn Ka≤127eV、F Ka≤64eV、C Ka≤56eV(@130,000cps,符合ISO 15632:2012);軟件控制自動(dòng)伸縮。
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
980 |
2025年08月 |
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3 |
化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng) |
YX******4 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)化學(xué)機(jī)械平坦化系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、加工尺寸: 支持4、6、8英寸;
2、拋光頭轉(zhuǎn)速:最大轉(zhuǎn)速≥200 rpm;誤差±1%;
3、拋光頭采用直驅(qū)電機(jī)。加壓方式:分區(qū)加壓控制;
4、拋光頭分區(qū):8寸拋光頭5zone ;6寸拋光頭4zone:4寸拋光頭 2zone;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
900 |
2025年08月 |
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4 |
激光直寫(xiě)系統(tǒng) |
YX******5 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)激光直寫(xiě)系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、最小線寬:≤300±50nm(最小光柵周期:≤600nm) ;
2、線寬均勻性:≤50nm(3σ)@ 300nm 分辨率;
3、線粗糙度:≤30nm(3σ)@ 300nm分辨率;
4、正面對(duì)準(zhǔn)精度≤250nm (平均值);
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
700 |
2025年08月 |
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5 |
原子層刻蝕系統(tǒng) |
YX******6 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)原子層刻蝕系統(tǒng)1套。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、8英寸向下兼容;
2、射頻:頻率13.56MHz,上射頻額定功率≥1500W,下射頻額定功率≤300W;
3、配備ALE快速切換閥,響應(yīng)時(shí)間<30ms;
4、氣路總數(shù)可達(dá)8路,每路入口配有截止閥;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
550 |
2025年08月 |
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6 |
誤碼率分析儀 |
YX******7 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)誤碼率分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、支持2-64GBd的碼型產(chǎn)生;
2、支持NRZ,PAM4編碼方式;支持PRBS7,PRBS15,PRBS31,PRBS51輸出;
3、時(shí)鐘抖動(dòng)小于300fs;
4、輸出幅度為50 mV 至 0.8 Vpp (單端);100 mV 至1.6 V 差分;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
516 |
2025年08月 |
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7 |
電子束蒸鍍機(jī) |
YX******8 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)電子束蒸鍍機(jī)1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、溫度可以高達(dá)1100攝氏度,誤差為+/-1%;
2、8”晶圓薄膜沉積均勻性可以達(dá)到σ< 1.0%, 49Pts 5mmEE。
3、設(shè)備可以運(yùn)行最大8”晶圓,并向下兼容;
4、設(shè)備預(yù)留多個(gè)功能模塊位置,可以方便升級(jí),添加其他功能模塊,如磁控濺射、離子刻蝕、PLD等;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
450 |
2025年08月 |
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8 |
脈沖激光沉積系統(tǒng) |
YX******9 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬脈沖激光沉積系統(tǒng)1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù):
1、抽氣系統(tǒng)包括進(jìn)口分子泵(抽速≥650 L/s)和進(jìn)口渦旋干泵(抽速≥3.1 L/s),腔體與分子泵之間配有氣動(dòng)閘板閥,本底真空度優(yōu)于9E-7Pa;
2、靶臺(tái):靶材尺寸及數(shù)量:φ2英寸×3 個(gè);每個(gè)靶材均可實(shí)現(xiàn)自轉(zhuǎn)、公轉(zhuǎn),自轉(zhuǎn)速率≤10 RPM,由電機(jī)控制;可在公轉(zhuǎn)方向上擺動(dòng)掃描,以實(shí)現(xiàn)激光對(duì)靶材的均勻燒蝕;
3、配備進(jìn)口RHEED電子槍,電子槍能量最高可達(dá)30 KeV,工作氣壓最高可達(dá)0.4 Torr(50 Pa);
4、配備進(jìn)口ICP離子源,RF電源功率大于500w,流量計(jì)10sccm;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
400 |
2025年08月 |
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9 |
大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀 |
YX******0 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)大帶寬高速時(shí)域信號(hào)調(diào)制分析儀統(tǒng)1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、2通道模擬實(shí)時(shí)帶寬≥59GHz;
2、2通道實(shí)時(shí)采樣率≥200GS/s;
3、存儲(chǔ)深度 ≥50M;
4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
350 |
2025年08月 |
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10 |
反應(yīng)離子刻蝕機(jī) |
YX******1 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)反應(yīng)離子刻蝕機(jī)1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù):
1、設(shè)備8英寸并向下兼容;
2、可實(shí)現(xiàn)對(duì)Ⅲ-Ⅴ族材料以及硅基材料的低損傷刻蝕;對(duì)SiO2的刻蝕:刻蝕速率>25nm/min;
3、最大刻蝕深度<1mm,對(duì)PR的選擇比>2.5:1,側(cè)壁傾角88±2°;
4、8英寸范圍內(nèi)刻蝕均勻性<±3%;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
300 |
2025年08月 |
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11 |
存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng) |
YX******2 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)存儲(chǔ)器芯片測(cè)試系統(tǒng)1套。
主要規(guī)格參數(shù):
1、覆蓋8*8陣列芯片的測(cè)試,配置16個(gè)SMU通道;
2、任意波形發(fā)生器:16Bit,8通道,每條通道2G樣點(diǎn)波形存儲(chǔ)深度,采樣率10GS/s;
3、源表:2通道,200V,測(cè)量分辨率0.1fA/100nV;
4、最小脈寬:400 ps
5、示波器:8個(gè)模擬通道,62.5M記錄長(zhǎng)度,2.5G帶寬;
6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
300 |
2025年08月 |
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12 |
頻譜分析儀 |
YX******3 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)頻譜分析儀1臺(tái)。
主要規(guī)格參數(shù):
1、頻率范圍不小于2hz-26.5GHz;
2、實(shí)時(shí)頻譜分析帶寬不低于500MHz;
3、總體幅度精度±0.27dB;
4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
264 |
2025年08月 |
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13 |
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) |
YX******4 |
A******工藝試驗(yàn)機(jī) |
"擬購(gòu)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)1套。
主要規(guī)格參數(shù):1、反應(yīng)腔室1套,真空獲得系統(tǒng)1套;
2、下電極1套;射頻電源及匹配器1套,頻率13.56MHz;
3、真空檢測(cè)系統(tǒng)1套;電氣控制系統(tǒng) 1套;控制軟件 1套;
3、選配loadlock自動(dòng)傳輸系統(tǒng);
4、選配400kHz低頻射頻電源;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
230 |
2025年08月 |
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14 |
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀 |
YX******5 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、頻率范圍不低于10MHz-43.5GHz;
2、端口數(shù)量4個(gè);系統(tǒng)動(dòng)態(tài)范圍119dB;
3、噪聲電平≤-130dBm;
4、相位噪聲≤-119dBc/Hz(@10KHz頻偏);
5、跡線噪聲 1GHz到40GHz 幅度< 0.008 dB,相位< 0.06°;
6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
230 |
2025年08月 |
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15 |
功率器件分析儀 |
YX******6 |
A******功率計(jì) |
"擬購(gòu)功率器件分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、具有高電壓高電流IV測(cè)量功能,最大電流1500A,最大電壓3KV,且可在1500A和3KV之間進(jìn)行自動(dòng)切換;
2、超大電流模塊,最大電流±1500A(脈沖),電流測(cè)量分辨率為:2mA,最大輸出電壓±60V,輸出脈沖寬度可設(shè)置范圍為10us至0.5ms;
3、柵極最大輸出電壓:±30V,最大輸出電流:±1A(脈沖模式),±0.1A(DC),最小電流測(cè)量分辨率:10pA
4、高壓模塊性能:最大輸出電壓范圍±3KV,最大輸出電流:±8mA;電流測(cè)量最小分辨率為:10fA;
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
198 |
2025年08月 |
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16 |
金相顯微鏡 |
YX******7 |
A******顯微鏡 |
"擬購(gòu)金相顯微鏡4臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、光學(xué)系統(tǒng)及變焦比:設(shè)備需采用遠(yuǎn)心光學(xué)系統(tǒng),變焦比或變倍比≥10倍。
2、配備不少于4個(gè)物鏡,放大倍數(shù)及參數(shù)要求如下:
3倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋45X-400X,數(shù)值孔徑NA≥0.09,工作距離WD≥30mm
10倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋150X-1400X,數(shù)值孔徑NA≥0.30,工作距離WD≥30mm
20倍鏡頭, 放大倍數(shù)范圍需涵蓋300-2900X,數(shù)值孔徑NA≥0.40,工作距離WD≥20mm
40倍鏡頭,放大倍數(shù)范圍需涵蓋600-5800X,數(shù)值孔徑NA≥0.80,工作距離WD≥4.5mm
3、觀察方式包含但不限于:明場(chǎng)、暗場(chǎng)、偏光、明場(chǎng)+暗場(chǎng)、斜射、陰影浮雕、微分干涉;
4、最大樣品高度≥70mm。
5、圖像采集模塊:可采集2D和3D表面形貌圖像,可實(shí)現(xiàn)2D和3D圖像自動(dòng)拼接功能,獲得樣品高倍整體形貌;
6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
180 |
2025年08月 |
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17 |
相位噪聲分析儀 |
YX******8 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
"擬購(gòu)相位噪聲分析儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、相位噪聲測(cè)量載波頻率范圍不小于1MHz-50GHz;
2、相位噪聲測(cè)量頻偏可達(dá)1GHz;
3、可完成測(cè)試功能包括瞬態(tài)測(cè)試、VCO測(cè)試、AM噪聲測(cè)試和Alan方差測(cè)試;
4、相位噪聲測(cè)量SSB相位噪聲、雜散信號(hào)、時(shí)間抖動(dòng);
5、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
6、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
168 |
2025年08月 |
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18 |
橢偏儀 |
YX******9 |
A******光學(xué)測(cè)試儀器 |
"擬購(gòu)橢偏儀1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、測(cè)量能力: 全穆勒矩陣 16 個(gè)元素、偏振光譜 Psi/Delta、折射率、厚度、雙折射 及介電常數(shù)等;
2、光譜范圍: 210nm-1650nm;
3、膜厚重復(fù)性精度: ≦ 0.005nm (100nm SiO2/Si, 30 repeats, 1σ) ;膜厚測(cè)量精度: <0.5 nm (100nm SiO2/Si);
4、折射率重復(fù)性精度: ≦ 0.0005nm(******,100nm SiO2/Si, 30 repeats, 1σ) ;
5、激光定焦:采用激光測(cè)距儀精準(zhǔn)探測(cè)最佳焦距,實(shí)現(xiàn)樣品 Mapping 快速掃描測(cè)量,采用 x/y 型 Mapping 掃描臺(tái),支持 2/4/6/8 寸樣件多點(diǎn)定位自動(dòng)掃描測(cè)量,軟件一鍵生成 二維/三維膜厚分布圖;
6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
120 |
2025年08月 |
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19 |
GPU服務(wù)器 |
YX******0 |
A******服務(wù)器 |
"擬購(gòu)GPU服務(wù)器1臺(tái)。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、4顆X86架構(gòu)CPU, 2.1G, 48C/96T;
2、1TB 內(nèi)存;12塊3.84TB SSD;
3、2個(gè)萬(wàn)兆光口;
4、4個(gè)48G顯存高端AI計(jì)算GPU卡;
5、滿配冗余電源風(fēng)扇,含上架導(dǎo)軌;
6、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
7、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。" |
120 |
2025年08月 |
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20 |
ESD測(cè)試系統(tǒng) |
YX******1 |
A******集成電路參數(shù)測(cè)量?jī)x |
擬購(gòu)ESD測(cè)試系統(tǒng)1套。該系統(tǒng)包括半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái)、中脈沖寬度擴(kuò)展器及手動(dòng)探頭。
主要技術(shù)指標(biāo):
1、半導(dǎo)體器件及ESD測(cè)試平臺(tái):支持短路電流最大40A ;支持開(kāi)路電壓最大2KV;支持上升時(shí)間10ns;支持脈沖寬度100ns;支持封裝級(jí)、晶圓級(jí)測(cè)試;提供自動(dòng)測(cè)試軟件;提供數(shù)據(jù)分析軟件;支持升級(jí)VF-TLP/HBM/HMM。
2、中脈沖寬度擴(kuò)展器:短路電流最大40A ;開(kāi)路電壓最大2KV;上升時(shí)間10ns;脈沖寬度100ns。
3、手動(dòng)探頭:探針臺(tái)主機(jī)大小4英寸;移動(dòng)精度10 微米;三目體式顯微鏡;目鏡倍率20倍;放大倍率16倍~100倍;200萬(wàn)像素高清CCD成像系。
4、質(zhì)保:自驗(yàn)收合格之日起兩年;
5、售后:所有硬件兩年免費(fèi)保修、所有軟件免費(fèi)保修升級(jí)、電話報(bào)修后48小時(shí)上門(mén)服務(wù)、48小時(shí)內(nèi)排除故障。 |
104 |
2025年08月 |
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本次公開(kāi)的采購(gòu)意向是本單位政府采購(gòu)工作的初步安排,具體采購(gòu)項(xiàng)目情況以相關(guān)采購(gòu)公告和采購(gòu)文件為準(zhǔn)。
******大學(xué)采購(gòu)與招標(biāo)中心
2025年07月04日