序號(hào) | 采購(gòu)項(xiàng)目名稱(chēng) | 采購(gòu)需求概況 | 預(yù)算金額(元) | 預(yù)計(jì)采購(gòu)時(shí)間(填寫(xiě)到月) | 備注 |
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1 | 四電弧提拉法單晶生長(zhǎng)爐 | 名稱(chēng):四電弧提拉法單晶生長(zhǎng)爐 主要功能和目標(biāo):四電弧提拉單晶生長(zhǎng)爐主要用于高熔點(diǎn)金屬間化合物及合金單晶制備,尤其適用于化學(xué)性質(zhì)活躍的稀土/鈾基材料(如UGe?、CeRh?Si等)和超高溫材料(如SiC、Ti單晶等)。其核心功能包括:高溫熔煉:通過(guò)四電弧放電產(chǎn)生3000℃以上高溫,直接熔化高熔點(diǎn)原料,避免助熔劑污染;精密控制:旋轉(zhuǎn)銅坩堝與反向提拉裝置協(xié)同,保障晶體均勻性和低缺陷率。 四電弧提拉法單晶生長(zhǎng)爐主要功能和指標(biāo)如下:1、頂部軸桿慢速模式最大位移速度:38mm/hr;2、頂部軸桿快速模式位移速度:90mm/min;3、配備晶體生長(zhǎng)狀態(tài)實(shí)時(shí)觀察系統(tǒng),4、具備吸收電極;5、底部軸桿位移控制:40mm(手動(dòng)控制)、底部軸桿最大轉(zhuǎn)速:10rpm。 采購(gòu)數(shù)量:1套。 | ******.00 | 2025-07 |
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